Ùلش مموري NAND چيست؟
ØاÙظه Ùلش (Flash Memory) چيست؟
ØاÙظه Ùلش داده ها را در مجموعه اي از سلول ها ذخيره مي كند Ùˆ هر سلول Øداقل Û± بيت داده را در خود Ù†Ú¯Ù‡ مي دارد. سلول ها به صورت بلوك هايي سازمان دهي شده اند، جايي كه يك بلوك به عنوان مجموعه اي از بايت هاي پيوسته تعري٠مي شود كه يك واØد قابل شناسايي از داده ها را تشكيل مي دهد.
يك بلوك كوچكترين قسمت قابل برنامه ريزي / پاك شدن آرايه است. بلوك ها توسط بار الكتريكي نوشته مي شوند؛ هر سلول يا نشان دهنده عدد Û± است يا Û°. وقتي همه بلوك ها با هم در نظر گرÙته شوند؛ يك تراشه ØاÙظه تشكيل مي دهند. چند نوع ØاÙظه Ùلش وجود دارد كه ØاÙظه Ùلش NAND رايج ترين نوع آن است. ØاÙظه Ùلش NAND را مي توان در كارت هاي USBØŒ دستگاه هاي MP3 Player Ùˆ ساير دستگاه هايي كه به ذخيره سازي داده با ظرÙيت بالا نياز دارند، پيدا كرد.
ØاÙظه Ùلش داراي دو ويژگي اصلي است:
Ù€ غير Ùرار است – ØاÙظه غير Ùرار براي نگهداري اطلاعات به منبع تغذيه نياز ندارد. به همين ترتيب معمولا براي ذخيره سازي طولاني مدت استÙاده مي شود. ØاÙظه رم كامپيوتر شما يك نوع ØاÙظه Ùرار است Ùˆ اين بدان معناست كه با خاموش كردن سيستم؛ تمام اطلاعات نگهداري شده از دست مي روند.
Ù€ تعداد Ù…Øدود سيكل نوشتن دارد – به دليل Ù†Øوه كار، ØاÙظه Ùلش Ùقط مي تواند تا تعداد Ù…Øدودي از سيكل يا چرخه نوشتن پشتيباني كند. سلول ها كم كم به آرامي از كار مي اÙتند Ùˆ عملكرد كاهش پيدا مي كند.
Ùلش مموري NAND چيست؟
NAND نوعي ØاÙظه Ùلش است كه در دسته ØاÙظههاي غيرÙرار ( Non-Volatile storage) قرار ميگيرد. اين نوع از ØاÙظه Øتي در صورت قطع برق Ùˆ نبود منبع تغذيه نيز اطلاعات موجود در خود را ØÙظ ميكند. هد٠مهم توسعه Ùلش NAND كاهش هزينه هر بيت Ùˆ اÙزايش Øداكثر ظرÙيت تراشه است تا ØاÙظه Ùلش بتواند با دستگاه هاي ذخيره سازي مغناطيسي مانند هارد ديسك رقابت كند.
ØاÙظههاي Ùلش مموري قابليت Øمل بسيار بالا همراه با عمر Ùˆ سرعت زيادي دارند. آنها قادر به ذخيرهسازي اطلاعاتي كه از يك SSD Ùˆ يا Ùلش مموري انتظار ميرود. ØاÙظههاي Ùلش مموري در واقع آرايهاي از سلولها است كه قابليت ذخيرهسازي يك يا چند بيت از دادههاي صÙر Ùˆ يك را دارد. هر سلول شامل چند Floating Gate Transistor است كه شارژ الكتريكي را در خود Ù†Ú¯Ù‡ داري ميكنند كه در نهايت نشان دهنده نماد صÙر Ùˆ يا يك است.
SLC (Single-Level Cells) يك بيت را ذخيره سازي ميكند. MLC (Multi-Level Cells) دو بيت را ذخيره سازي ميكند، TLC (Ttriple-Level Cells) سه بيت Ùˆ در نهايت QLC (Quad-Level Cells) چهار بيت را ذخيره سازي ميكنند. با استÙاده از واØدهاي ذخيرهسازي بيت بيشتر، هزينهها كاهش پيدا ميكند.
اين Ùلش براي دستگاه هاي مناسب است كه Ùايل هاي Øجيم، اغلب در آنها آپلود Ùˆ جايگزين مي شوند. پخش كننده هاي MP3ØŒ دوربين هاي ديجيتال Ùˆ درايوهاي Ùلش USB از Ùناوري NAND استÙاده مي كنند. Ùلش NAND داده ها را به صورت بلوك ذخيره مي كند Ùˆ براي ذخيره داده ها به مدارهاي الكتريكي متكي است. هنگامي كه برق از ØاÙظه Ùلش NAND جدا مي شود، يك metal-oxide نيمه رسانا، شارژ اضاÙÙŠ را براي سلول ØاÙظه Ùراهم مي كند Ùˆ داده ها را ØÙظ مي كند. metal-oxide نيمه رسانا كه معمولاً استÙاده مي شود يك ترانزيستور floating-gate (FGT) است. ساختار FGT ها شبيه به گيت هاي منطقي NAND است.
سلول هاي ØاÙظه NAND با دو نوع گيت كنترلي Ùˆ گيت شناور ساخته مي شوند. هر دو گيت به كنترل جريان داده كمك خواهند كرد Ùˆ براي برنامه ريزي يك سلول، يك شارژ ولتاژ به گيت كنترل ارسال مي شود.
عملكرد ØاÙظه Ùلش NAND:
ØاÙظه Ùلش نوع خاصي از تراشه ØاÙظه خواندني قابل برنامه ريزي (EEPROM) با قابليت پاك كردن الكترونيكي است. مدار Ùلش، شبكه اي از ستون ها Ùˆ ردي٠ها را ايجاد مي كند. هر تقاطع شبكه دو ترانزيستور را Ù†Ú¯Ù‡ مي دارد كه توسط يك لايه نازك اكسيد از هم جدا شده اند. يكي از ترانزيستورها دروازه شناور Ùˆ ديگري دروازه كنترل ناميده مي شود. گيت كنترل، دروازه شناور را به ردي٠مربوطه خود در شبكه متصل مي كند.
تا زماني كه گيت كنترل اين پيوند را Ùراهم مي كند، سلول ØاÙظه داراي مقدار ديجيتالي 1 است كه به معناي پاك شدن بيت است. براي تغيير سلول به مقدار ديجيتال 0ØŒ بايد Ùرآيندي به نام Fowler-Nordheim tunneling Ùˆ در كل بايد تونل زني انجام شود كه تونل زني Ù†Øوه قرارگيري الكترون ها در دروازه شناور را تغيير مي دهد.
يك ولتاژ سيگنال در امتداد خط ستون شبكه ارسال، وارد دروازه شناور مي شود و شارژ دروازه شناور را به زمين تخليه مي كند. اين تغيير باعث مي شود كه الكترون ها در سراسر لايه اكسيد رانده شوند و بار روي لايه اكسيد را تغيير مي دهد كه مانعي بين دروازه هاي شناور و كنترل ايجاد مي كند.
از آنجايي كه اين تغيير بار را به زير يك ولتاژ آستانه معين كاهش مي دهد، مقدار سلول به عدد ديجيتال 0 تبديل مي شود. يك سلول Ùلش را مي توان با اعمال شارژ با ولتاژ بالاتر پاك كرد Ùˆ سلول Ùلش را به ديجيتال 1 بازگرداند. با اعمال شارژ ولتاژ بالاتر، تونل زني را متوق٠كرده Ùˆ شارژ را به دروازه شناور برمي گرداند.
اين Ùرآيند به ولتاژي نياز دارد كه توسط مدار كنترل Ùعال ارائه مي شود. اما سلول هايي كه Ùلش را تشكيل مي دهند، پس از قطع برق خارجي به تراشه، Øالت شارژ يا تخليه خود را به طور نامØدود ØÙظ مي كنند. اين همان چيزي است كه ØاÙظه Ùلش NAND را غيرÙرار مي كند.
Ùرآيند شارژ Ùˆ تونل زني كه در يك سلول Ùلش انجام مي شود براي ترانزيستورها مخرب است Ùˆ سلول Ùقط مي تواند قبل از اينكه سلول شروع به خراب شدن Ùˆ از كار اÙتادن كند به تعداد Ù…Øدودي برنامه ريزي Ùˆ پاك شود. كه به اين Ù…Ùهوم ØاÙظه Ùرسوده Ùˆ يا پوسيده شده Ú¯Ùته مي شود.
تاريخچه Ùˆ تكامل ØاÙظه Ùلش NAND:
تاريخچه Ùلش NAND در واقع به توسعه metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) برمي گردد. Ùناوري MOSFET در سال 1959 توسعه ياÙته Ùˆ در سال 1967 MOSFET هاي دروازه شناور توسعه ياÙت. توسعه دهندگان اين ترانزيستورهاي اوليه متوجه شدند كه اين دستگاه ها مي توانند وضعيت را بدون برق Ù†Ú¯Ù‡ دارند Ùˆ استÙاده از آنها را به عنوان سلول هاي ØاÙظه دروازه شناور براي تراشه هاي ØاÙظه Ùقط خواندني قابل برنامه ريزي (PROM) پيشنهاد كردند كه هم غيرÙرار Ùˆ هم قابل برنامه ريزي مجدد هستند.
بيش از تراشه هاي رام موجود اين ترانزيستورها پايه Ùˆ اساس دستگاه هاي پاك شدني PROM (EPROM) Ùˆ EEPROM را در دهه 1970 تشكيل دادند، اگرچه استÙاده از آنها Ù…Øدود بود.
طراØان توشيبا اولين كساني بودند كه گروههايي از سلولهاي ØاÙظه Ùلش را در بلوكها يا گروهها بازسازي كردند Ùˆ مدار مورد نياز براي پاك كردن سريع بلوكها را اضاÙÙ‡ كردند. Ùلش NOR در سال 1984 Ùˆ Ùلش NAND در سال 1987 ارائه شد. توشيبا برخي از اولين دستگاههاي Ùلش NAND را در سال 1987 توليد كرد، در Øالي كه اينتل دستگاههاي Ùلش NOR را در سال 1988 توليد كرد. دستگاههاي كارت ØاÙظه قابل جابجايي مبتني بر NANDØŒ مانند SmartMediaØŒ در اواسط دهه 1990 ظاهر شدند Ùˆ شامل چندين تغيير از جمله MultiMediaCard Ùˆ ساير عوامل بودند. كارت هاي قابل جابجايي، مانند miniSD Ùˆ microSDØŒ تكامل ياÙته Ùˆ عملكرد بهتري را در Ùاكتورهاي كوچكتر ارائه مي دهند.
سازندگان در دهههاي 2000 Ùˆ 2010 پيشرÙتهايي را در زمينه چگالي، عملكرد Ùˆ قابليت اطمينان ØاÙظههاي Ùلش NAND انجام دادند كه از Ùناوريهاي نوظهور طراØÙŠ سلول مانند سلول چند سطØÙŠ (MLC) بهره بردند كه دو بيت در هر سلول، سلول سهسطØÙŠ (TLC) را ذخيره ميكرد. بيت در هر سلول Ùˆ سلول چهار سطØÙŠ (QLC) كه چهار بيت در هر سلول را ذخيره مي كند. پيشرÙتهاي بيشتر در Ùناوري سلولهاي ØاÙظه، لايههايي از سلولهاي ØاÙظه را قادر ميسازد تا در لايههايي روي هم قرار گيرند تا ظرÙيت ذخيرهسازي Ùلش Øتي بيشتر شود.
انواع ØاÙظه Ùلش NAND:
انواع متداول ذخيره سازي Ùلش NAND شامل SLCØŒ MLCØŒ TLCØŒ QLC Ùˆ 3D NAND است. عاملي كه آنها را از هم جدا مي كند تعداد بيت ها در هر سلول است. هرچه بيت هاي بيشتري در هر سلول ذخيره شود، هزينه ذخيره سازي Ùلش NAND كمتر خواهد بود.
Ù€ SLC يا سلول هاي تك سطØÙŠ: در هر سلول يك بيت ذخيره مي كند. SLC بالاترين استقامت را دارد اما همچنين گرانترين نوع ØاÙظه Ùلش NAND است.
Ù€ MLC يا سلول هاي چند سطØÙŠ: دو بيت را در هر سلول ذخيره مي كند. از آنجايي كه چرخه هاي پاك كردن Ùˆ نوشتن دو برابر بيشتر اتÙاق مي اÙتد، MLC در مقايسه با SLC استقامت كمتري دارد. با اين Øال، هزينه كمتري دارد. بسياري از رايانه هاي شخصي از MLC استÙاده مي كنند.
Ù€ TLC يا سلولهاي Ø³Ø·Ø Ø³Ù‡Ú¯Ø§Ù†Ù‡: سه بيت در هر سلول ذخيره ميكنند. بسياري از Ù…Øصولات Ø³Ø·Ø Ù…ØµØ±Ù ÙƒÙ†Ù†Ø¯Ù‡ از اين استÙاده مي كنند زيرا ارزان تر است، هر چند عملكرد پايين تري دارد.
Ù€ QLC يا سلول هاي چهار سطØÙŠ: چهار بيت در هر سلول ذخيره مي كند. QLC ها Øتي استقامت كمتري دارند Ùˆ عموماً هزينه كمتري دارند.
Ù€ NAND سه بعدي: NAND دو بعدي يا Ù…Ø³Ø·Ø Ùقط يك لايه سلول ØاÙظه دارد، در Øالي كه NAND سه بعدي سلول ها را روي هم قرار مي دهد. سامسونگ از NAND سه بعدي به عنوان NAND عمودي يا V-NAND ياد مي كند.
تÙاوت ميان NAND Ùˆ V-NAND چيست؟
V-NAND Ùˆ يا 3D V-NAND آخرين تكنولوژي در زمينه ساخت Ùلش مموري در دنيا است. در اين تكنولوژي از سلولهاي NAND به صورت Ø³Ø·Ø Ø¯Ùˆ وجهي استÙاده ميشود. اين سلولها به صورت عمودي در كنار يكديگر قرار ميگيرند كه باعث شده از نماد V (Vertical يا عمودي) در نام اين تكنولوژي استÙاده شود.
با توجه به استÙاده از ساختار عمودي سلولها، SSDهاي ساخته شده با استÙاده از اين تكنولوژي Øجم بالاتري دارند، مصر٠برق آنها كمتر Ùˆ در نهايت هزينه توليد آنها نيز كاهش پيدا كرده است. از ديگر ويژگيهاي V-NAND ميتوان به سرعت دو برابر Ùˆ ماندگاري دادهها تا ده برابر اشاره كرد. سامسونگ اولين بار با استÙاده از V-NAND توانست اولين SSD با Øجم دو ترابايت در جهان را به نام Samsung 850 Pro را به بازار عرضه كند.
عدم وجود Ùلش NAND:
تقاضاي بي وقÙÙ‡ ذخيره سازي داده ها Ùˆ دستگاه هاي قابل Øمل باعث كمبود تراشه هاي Ùلش NAND شده است. كمبود Ùلاش NAND در سال 2016 آغاز شد Ùˆ تا سال 2021 ادامه داشت. كمبود تا Øدي نتيجه تقاضا است، اما همچنين به اين دليل است كه Ùروشندگان از توليد NAND 2 بعدي يا Ù…Ø³Ø·Ø Ø¨Ù‡ Ùناوري NAND بسيار متراكم تر 3D تغيير مي كنند. ساخت تراشه هاي NAND سه بعدي Ùرآيند پيچيده تري است.
امروزه، درايوهاي Øالت جامد (SSD) Ùˆ گوشيهاي هوشمند، Ù…Øركهاي اصلي بازار Ùلش NAND هستند. بازار ØاÙظه هاي Ùلش NAND تا سال 2020 به بيش از 46 ميليارد دلار رسيد Ùˆ انتظار مي رود تا سال 2026 به بيش از 85 ميليارد دلار برسد.
تÙاوت Ùلش NAND Ùˆ Ùلش NOR:
دو نوع اصلي Ùلش، ØاÙظه Ùلش NAND Ùˆ NOR هستند كه نام خود را از گيت هاي منطقي مربوط به خود مي گيرند. ØاÙظه Ùلش NAND در بلوك هايي كه كوچكتر از دستگاه هستند نوشته Ùˆ خوانده مي شود، در Øالي كه ØاÙظه Ùلش NOR به طور مستقل بايت ها را مي خواند Ùˆ مي نويسد. موارد استÙاده براي هر دو ØاÙظه Ùلش NOR Ùˆ NAND شامل لپ تاپ Ùˆ كامپيوترهاي هاي روميزي، دوربين هاي ديجيتال Ùˆ پخش كننده هاي صوتي؛ گوشي هاي هوشمند؛ بازي هاي ويديويي؛ Ùˆ الكترونيك علمي، صنعتي Ùˆ پزشكي مي باشد.
Ùلاش NAND زمان پاك كردن Ùˆ نوشتن سريعتري نسبت به Ùلاش NOR ارائه ميكند، در Øالي كه Ùناوري NAND چگالي بهتري را با هزينه كمتر براي هر بيت ارائه ميكند. NAND همچنين تا 10 برابر NOR تØمل بيشتري را ارائه مي دهد.
NAND جايگزين مناسبي براي ROM نيست زيرا دسترسي تصادÙÙŠ در Ø³Ø·Ø Ø¨Ø§ÙŠØª را ارائه نمي دهد، كه معمولاً داده هاي ذخيره شده در ROM به آن نياز دارند. ØاÙظه NOR جايگزين خوبي براي درايوهاي RAM Ùˆ ROM است. NAND بيشتر با دستگاه هاي ذخيره سازي ثانويه مانند هارد ديسك مرتبط است. اين باعث مي شود Ùلش NAND براي ذخيره سازي انبوه، مانند SSD ها خوب باشد.
Ùناوري NAND Flash در ØاÙظه SSD:
امروزه دنياي Ùناوري اطلاعات در بخش ذخيره سازي نيز با سرعت بسيار زيادي در Øال پيشرÙت است. اكنون كمتر كسي هست كه با ØاÙظه هاي SSD آشنايي نداشته باشد. ØاÙظه هايي كه آرام آرام جايگزين هاردديسكهاي مكانيكي مي شوند Ùˆ در آينده نزديك مطمئناً آنها را از بازار خارج خواهند كرد.
عملكردØاÙظه هاي SSD مبتني بر چرخش اجسام Ùˆ Øركت اجزاي داخلي آن نيست. در SSDها، اطلاعات به جاي ديسك چرخان، در دريايي از Ùلش ناند (NAND) ذخيره ميشوند. NANd خود از اجزايي ساخته شده است كه ترانزيستورهاي گيت شناور ناميده ميشوند. برخلا٠ترانزيستورهاي استÙاده شده در ساخت DRAM كه بايد هر ثانيه چندين بار رÙرش شوند، Ùلش NAND به گونهاي طراØÙŠ شده است كه Øتي اگر منبع انرژي در دسترسش نباشد باز هم بتواند Øالت شارژ خود را ØÙظ كند. همين امر موجب شده است كه NAND را در دستهي ØاÙظههاي غير Ùرار (Non-volatile memory) دستهبندي كنند.
تكنولوژي NAND Flash در Øدود Û±Û°Û°Û° برابر از ديسكهاي چرخان سريعتر Ùˆ در مقابل DRAM در Øدود Û±Û°Û°Û° برابر از NAND سريعتر است.
يك ØاÙظه SSD از سه بخش اصلي تشكيل شده است:
Ù€ NAND Flash
Ù€ DDR Memory
Ù€ Controller
در بخش A ديتا ذخيره مي شود Ùˆ نيازي به برق براي ØÙظ داده ندارد. بخش B همان كش هارد است كه براي ØÙظ داده ها نياز به برق دارد. بخش C كنترولر نام دارد كه به عنوان كانكتور اصلي بين هارد Ùˆ كامپيوتر است Ùˆ سيستم عامل (firmware) نيز بر روي آن نصب مي شود.
معرÙÙŠ تكنولوژي 3D NAND:
نسل جديد ØاÙظه هاي ذخيره سازي در Øقيقت يك معماري براي طراØÙŠ Ùلشهاي تجهيزات ذخيرهسازي است كه با عنوان Ùلشهاي NAND سهبعدي ( 3D Nand Flash) شناخته ميشوند Ùˆ شركتهايي كه در زمينه توليد چيپهاي Ùلش Ùعاليت ميكنند به توسعه ساختار Ùعلي Ùلشها با استÙاده از ساختار 3D Nand Flash روي آوردهاند تا بتوانند به بهترين كارايي Ùˆ پايين ترين قيمت در بازار رقابتي تجهيزات ذخيرهسازي دست يابند.
در ساختار Ùلشهاي دو وجهي سلولها در راستاي Ù…Øورهاي X Ùˆ Y كنار هم قرار ميگيرند Ùˆ بسته به اندازه Ùيزيكي سلولها ميتواند تا Øجم Ù…Øدودي از ذخيرهسازي اطلاعات را پشتيباني كند. در Øالي كه ساختار 3D Nand Flash لايههايي از سلولها روي هم قرار ميگيرند Ùˆ از راستاي Ù…Øور Z هم استÙاده ميشود Ùˆ بديهي است كه Øجم ذخيرهسازي به صورت قابل توجهي اÙزايش مييابد. در كنار اين ساختار Ùيزيكي از الگوريتمهايي نيز براي كاهش نرخ خطا Ùˆ كاهش مصر٠انرژي نيز استÙاده شده تا كارايي بهينهاي را نيز از اين معماري شاهد باشيم.
بزرگترين مزيت ساختار 3D Nand Flash ظرÙيت بالاي ذخيرهسازي در آنها در قياس با سايز Ùيزيكي اين نوع Ùلش است كه باعث پايين آمدن قيمت تمامشده به ازاي هر گيگابايت ميشود. اين اÙزايش ظرÙيت ميتواند نويد اساسديهايي با Øجم بيش از 10 ترابايت در ÙرمÙكتور 2.5 اينچي Ùˆ يك اساسدي 3.5 ترابايتي را در اندازه يك آدامس بادكنكي بدهد! از ديگر مزيتهاي ساختار 3D Nand Flash ميتوان به اÙزايش قابل توجه كارايي نسبت به ساختار دو وجهي اشاره كرد. اين اÙزايش كارايي در سرعت خواندن/نوشتن Ùˆ نيز بهبود سرعت دستيابي تصادÙÙŠ در Øالت 4K بسيار مشهود است. همچنين مصر٠انرژي در ØاÙظههايي كه بر اساس اين تكنولوژي ساخته ميشوند تا Û´Ûµ درصد كمتر است.
Ù…Øدوديت ها Ùˆ چالش هاي Ùلش NAND:
Ùنآوريهاي ØاÙظه Ùلش مزاياي بسيار زيادي را براي دستگاههاي الكترونيكي مدرن Ùراهم كردهاند، از كارتهاي ØاÙظه غيرÙرار در دوربينها تا SSDهاي كلاس سازماني. اما عليرغم مزايا، Ùناوريهاي Ùلش مانند ØاÙظه Ùلش NAND چندين Ù…Øدوديت Ùˆ چالش كليدي را ارائه ميكنند كه بر عملكرد Ùˆ قابليت اطمينان تأثير ميگذارند، از جمله سايش، پاك كردن، تداخل Ùˆ Øساسيت.
ـ پاك كردن بلوكي:
در ØاÙظه Ùلش هر يك از بيتها جداگانه قابل برنامهنويسي يا خواندن ميباشند، اما اگر بخواهيم يك بيت دلخواه را پاك كنيم كل بلوك پاك ميشود؛ يعني وقتي Øتي تنها يك بيت صÙر شدهاست براي يك كردن آن بيت بايد كل بلوك را يك كنيم. ØاÙظه Ùلش NORØŒ به ما قابليت اجراي عمليات دوبارهنويسي Ùˆ پاك كردن، همراه با دسترسي تصادÙÙŠ Ùˆ دلخواه را نميدهد.
Ù€ تØليل ØاÙظه:
ØاÙظه Ùلش از تعداد Ù…Øدودي Øلقه نوشتن Ùˆ پاك كردن پشتيباني ميكند. بيشتر Ùلشهاي در دسترس ما، بهطور تضميني قبل از تØليل رÙتن ØاÙظه كيÙيت آن را پايين مي آورد، Øدود Û±Û°Û°Û°Û°Û° Øلقه نوشتن Ùˆ پاك كردن را پوشش ميدهند. براي كمتر كردن آثار اين مشكل در بعضي از سيستمها از روشي استÙاده ميشود كه در آن با شمارش تعداد عمليات نوشتن Ùˆ بازنگاري پوياي بلوكها جهت توزيع عمليات نوشتن در بين بخشهاي مختلÙØŒ باعث پايين آمدن Ø³Ø·Ø ØªØليل ØاÙظه ميشويم.
ـ اختلال در خواندن:
اختلال در خواندن وقتي اتÙاق مياÙتد كه در طول عمليات خواندن يك بيت يا بيشتر تغيير كنند. اختلال در خواندن درون بلوكي كه در Øال خوانده شدن است، اما در صÙØÙ‡ يا صÙØات ديگر كه در Øال خوانده شدن نيستند، اتÙاق مياÙتد. اگر تعداد زيادي عمليات خواندن (Øدود چند Û±Û°Û°Û°Û°Û° يا چند ميليون) قبل از انجام عمليات پاك كردن انجام دهيم، اين اختلال ممكن است اتÙاق بيÙتد. بعد از وقوع اين اختلال بايد بلوكي را كه اختلال در آن اتÙاق اÙتادهاست را پاك كنيم Ùˆ دوباره دادهها را در آن بنويسيم.
توليد كنندگان ØاÙظه Ùلش NAND:
طبق اطلاعات Mordor IntelligenceØŒ ارزش بازار ØاÙظه هاي Ùلش NAND در سال 2020 بيش از 46 ميليارد دلار برآورد شده است Ùˆ پيش بيني مي شود تا سال 2026 از 85 ميليارد دلار Ùراتر رود.
انتظار ميرود كه اين رشد ناشي از تقاضاي دستگاههاي رايانهاي مانند گوشيهاي هوشمند، كارتهاي ØاÙظه، SSD Ùˆ Øتي پروژههاي ØاÙظه Ùشرده مانند هوش مصنوعي باشد. شش سازنده اصلي جهاني دستگاه هاي ØاÙظه Ùلش NAND وجود دارد كه عبارتند از:
ـ سامسونگ الكترونيك
ـ كيوكسيا
ـ شركت وسترن ديجيتال (WD).
Ù€ Ùناوري ميكرون
Ù€ SK Hynix
ـ اينتل
آينده ØاÙظه Ùلش NAND:
ØاÙظه Ùلش NAND به يكي از اجزاي Øياتي دستگاه هاي موبايل مدرن تبديل شده است. با اÙزايش اين دستگاه ها Ùˆ تلاش براي ارائه ويژگي ها Ùˆ عملكردهاي بيشتر، Øجم بيشتري از ØاÙظه Ùلش NAND براي رسيدگي به نيازهاي رو به رشد كد Ùˆ ذخيره سازي داده مورد نياز خواهد بود.
هد٠اصلي طراØÙŠ Ùˆ تكامل ØاÙظه Ùلش NAND اين است كه تراكم بيتهاي بيشتري را در تراشههاي كوچكتر Ùˆ با مشخصات پايينتر قرار دهد. سال هاي اخير شاهد توسعه NAND چهار بعدي 128 لايه از SK Hynix بوده ايم. اين به طور موثر امكان توليد دستگاه هاي ذخيره سازي NAND يك ترابايتي را با ضخامت بسته تراشه اي Ùقط 1 ميلي متر كه براي گوشي هاي هوشمند ايده آل هستند، Ùراهم مي كند.
به طور مشابه، سامسونگ يك دستگاه V-NAND با بيش از 100 لايه توليد كرده است كه عملكرد ØاÙظه بهتري را به دليل تأخير كمتر Ùˆ مصر٠انرژي كمتر ارائه مي دهد. اين انگيزه هاي اساسي به سمت ظرÙيت بيشتر Ùˆ عملكرد برتر اØتمالاً آينده دستگاه هاي NAND را شكل خواهد داد.
منبع : Ùلش مموري NAND چيست
برچسب: ،
ادامه مطلب